iDEAL 半導體宣布 200V SuperQ™ MOSFET 系列中的首款產品已進入量產階段，另外四款 200V 器件現已提供樣品。

SuperQ 是矽 MOSFET 技術在超過 25 年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現了階躍式提升，同時保留了矽的核心優勢：堅固性、高產量製造能力以及在 175°C 下的可靠表現。

首款進入量產的 200V MOSFET 是 25 mΩ、TO╴220 封裝的 iS20M028S1P。iDEAL 同時也提供超低電阻的 TOLL 和 D²PAK-7L 樣品，RDS（on）僅為 5.5 mΩ，這樹立了新的性能基準，其電阻比當前市場領先者低 1.2 倍，比次佳競爭對手低 1.7 倍。iDEAL 半導體執行長兼創辦人 Mark Granahan 表示：「將 SuperQ 擴展到 200V，我們證明了矽的不斷創新尚未結束，這些結果證明我們可以在保持矽的可製造性、可靠性和成本優勢的同時，也提供最低電阻和卓越的開關性能。這是我們公司以及希望推動效率進步的客戶的一個重大里程碑。」

200V SuperQ 系列的目標應用包括馬達驅動、LED 照明、電池保護、AI 伺服器、隔離 DC／DC 電源模組、USB╴PD 充電器和太陽能逆變器。隨著器件進入生產階段並提供產業領先的樣品，iDEAL 正在加速與高成長功率市場客戶的合作。

（首圖來源：iDEAL Semi；首圖來源：iDEAL Semi）

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(责任编辑：汤俊业)